| Аннотація | Диоды с наименьшим временем восстановления и максимальным
коэффициентом формы Кrr тока восстановления получены на диодных структурах изготовленных на пластинах после резки (кремний 70 Ом·см), которые имеют
наименьший рельеф поверхности. Отсутствие операций шлифовки, отжиг РЦ при более низкой температуре позволяют упростить технологию изготовления
силовых диодов, но требуют ее доработки на этапе кассетной пайки. При помощи исследования спектров НЕСГУ показано, что после отжига травленных и шлифованных пластин кремния доминирующими являлись уровни H1(0,21) и Е4(0,37), причем для травленой поверхности наблюдается значительная концентрация рекомбинационных центров H1(0,21), а для шлифованной поверхности характерна преобладающая концентрация рекомбинационных
центров с энергией Е4(0,37). |