| Номер документа в системі: | 136370 |
| Автор: | Игумнов Д.В., Костюнина Г.П. |
| Назва документа: | Основы полупроводниковой электроники |
| Видавництво: | Горячая линия-Телеком |
| Місто видання: | М. |
| Рік видання: | 2005 |
| УДК | 621.382(075.8)+621.375.4(075.8) |
| Мова документу | Російська |
| Шифр документу | 621.382 |
| Аннотація | В книге изложены основы построения современных полупроводниковых аналоговых и цифровых устройств. Приведены сведения о физических явлениях в полупроводниковых элементах, рассмотрены различные диоды, биполярные и полевые транзисторы. Описаны особенности интегральных схем. Основное внимание уделяется рассмотрению разнообразных транзисторных и интегральных устройств непрерывного и импульсного действия.
Для студентов вузов, будет полезна специалистам смежных с электроникой областей, которые занимаются вопросами, требующими от них дополнительных знаний по электронике.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие…3
Глава 1. Свойства электронно-дырочных переходов… 6
1.1.Структура и энергетические зоны полупроводников…6
1.2.Примесные полупроводники…9
1.3.Основные параметры полупроводников…13
1.4.Проводимость полупроводников …15
1.5.Структура и основные свойства р-n перехода…17
1.6.Вольтамперная характеристика р-n перехода…22
1.7.Емкости р-n перехода…26
1.8.Обратный ток р-n перехода…27
1.9.Пробой р-n перехода…29
Глава |
| Кількість сторінок | 392 с. |