Аннотація | В работе оптимизированы процессы селективной эпитаксии слоев кремния на структурах Si-SiO2-Si*, процессы формирования диэлектрической изоляции и диффузионных областей комплементарных биполярных транзисторных структур. При формировании диэлектрической изоляции элементов ИМС проводится окисление границы между эпитаксиальными слоями эпимоно-Si и эпи-Si*, расположенной под углом 550 к поверхности. В этом случае градиент механических напряжений направлен или к краевой области объема моно-Si или в объем слояэпи-Si* и образование механических напряжений достаточных для генерации дефектов в слое эпимоно-Si не происходит. При толщине эпитаксиальной пленки 3,0-4,0 мкм характеристики комплементарных транзисторов составили величины Uке > 20 В и . |