| Аннотація | У монографії розглянуто вплив різних дефектів кристалічної ґратки (плавні просторові розподіли питомого опору в кристалах, шаруваті періодичні неоднорідності, дефекти радіаційного походження) на кінетичні, оптичні, люмінесцентні явища, що розвиваються внапівпровідникових об'єктах. Обговорено особливості впливу на кристали силіцію і германію р-, у-, протонного і нейтронного опромінення, а також іонної імплантації в об'ємні напівпровідники і тонкі плівки. Досліджено радіаційну стійкість силіцію п- і р-типу, вирощеного і легованого різними методами, та з'ясовано можливості її підвищення. Теоретично описано відпал основних радіаційних дефектів у силіції (А-центрів, Е-центрів, дивакансій та ін.) на базі експериментальних даних. Визначено параметри, які характеризують цей процес (енергії активації і частотні фактори), а також запропоновано різні механізми і реакції, за якими відбуваються процеси відпалу дефектів. Наведено фізичне обгрунтування методів вимірювання найважливіших параметрів напівпровідникових |