| Аннотація | При T = 4.2 K обнаружено экспоненциальное уменьшение сопротивления Si/Ge/Si-структур, содержащих квантовые точки германия, с ростом интенсивности межзонного света. В упругонапряженных структурах наблюдаются два различных экспоненциальных участка в зависимости сопротивления структур от интенсивности света, а в ненапряженных структурах - один. Полученные экспериментальные результаты объяснена: в рамках модели прыжковой проводимости неравновесных электронов, которые в напряженных структурах локализованы на квантовых точках и в областях между ними, а в ненапряженных структурах локализованы только между квантовыми точками. |