Аннотація | Описываются физические основы работы полупроводниковых гальвано-, магнитных приборов: датчиков Холла, магниторезисторов, магнитодиодов, биполярных и полевых магнитотранзисторов, магнитотиристоров, комбинаций этих приборов и магнитометров. Приводятся основные теоретические соотношения, определяющие их параметры, а также конструктивные особенности. Отмечены направления их использования. Приведены результаты исследований влияния радиационного облучения на каждый тип магнитоприборов.
Для инженерно-технических работников, связанных с созданием и применением полупроводниковых приборов, аспирантов и студентов вузов.
ВВЕДЕНИЕ…5
ГЛАВА 1. ОДНОПЕРЕХОДНЫЕ МАГНИТОТРАНЗИСТОРЫ (ОПТ)…6
1.1.Влияние магнитного поля на движение носителей заряд…6
1.1.1. Эффект Холла…6
1.1.2. Эффект Суля…8
1.1.3. Магниторезистивный эффект…9
1.2. Влияние магнитного поля на статические характеристики ОПТ…10
1.3. Действие магнитного поля на характеристики генератора на ОПТ…14
1.4. Зависимость характеристик ОПТ от структуры базовых |