Сингх Ш., Мишра В.

Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью с применением мемристоров 45-HM технологии


В наявності 0 з 0 примірників.


Номер документа в системі:351272
Автор:Сингх Ш., Мишра В.
Назва документа:Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью с применением мемристоров 45-HM технологии
УДК621.382
Мова документуРосійська
Кількість сторінокС. 267-274.
Повернутися до переліку бібліотечних фондів