| Номер документа в системі: | 93400 |
| Автор: | Киреев В.Ю., Столяров А.А. |
| Назва документа: | Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы |
| Видавництво: | Техносфера |
| Місто видання: | М. |
| Рік видання: | 2006 |
| УДК | 621.3.049.77(075.8) |
| ISBN | 5-94836-036-3 |
| Мова документу | Російська |
| Шифр документу | 621.3 |
| Аннотація |
Предисловие... 8
Список используемых сокращений... 19
Введение...24
Глава.1. Классификация процессов ХОГФ
функциональных слоев ИМС...25
Глава 2. Характеристики структуры до и после
операции ХОГФ функционального слоя...41
Глава 3. Технологические характеристики
процессов ХОГФ функциональных слоев ИМС...46
Глава 4. Состав и параметры оборудования ХОГФ
функциональных слоев ИМС...49
Глава 5. Классификация оборудования ХОГФ
функциональных слоев ИМС...55
Глава 6. Механизмы протекания процессов ХОГФ ...74
6.1. Анализ механизмов термоактивированных
процессов ХОГФ...78
6.2. Особенности механизмов плазмоактивированных
процессов ХОГФ...94
6.3. Особенности механизмов процессов ХОГФ
с дискретной подачей реагентов...98
Глава 7. Функциональные слои ИМС, осаждаемые
в процессах ХОГФ ...106
7.1. Эпитаксиальные монокристаллические пленки кремния (Si), германия (Ge) и гетероструктуры кремний - германий (Si1 |
| Кількість сторінок | 192 с. |